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在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域，臺(tái)積電（TSMC）的地位猶如巨擘，其市場主導(dǎo)地位在短期內(nèi)似乎難以撼動(dòng)。 2024 年第二季度的數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電以 62.3% 的市場份額遙遙領(lǐng)先，尤其是在 3 納米和 5 納米等先進(jìn)制程領(lǐng)域，更是占據(jù)了高達(dá) 92% 的市場份額，幾乎形成壟斷。 相較之下，三星（Samsung）的市場份額僅為 11.5%，英特爾（Intel）的代工業(yè)務(wù)仍處于起步階段。 然而，三星與英特爾也在積極尋求合作，試圖通過技術(shù)互補(bǔ)和資源共享，挑戰(zhàn)臺(tái)積電的霸主地位。

臺(tái)積電的絕對優(yōu)勢源于其在技術(shù)、產(chǎn)能和客戶關(guān)系上的深厚積累。 在技術(shù)方面，臺(tái)積電的 3 納米工藝良率高達(dá) 60%，遠(yuǎn)高于三星的 20%。 此外，臺(tái)積電的 2 納米制程計(jì)劃于 2025 年量產(chǎn)，技術(shù)路線圖清晰，確保了其在先進(jìn)制程領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 在產(chǎn)能方面，臺(tái)積電擁有強(qiáng)大的生產(chǎn)能力，能夠滿足蘋果、英偉達(dá)等核心客戶的需求。 更重要的是，臺(tái)積電構(gòu)建了完善的生態(tài)系統(tǒng)，擁有龐大的 IP 數(shù)量 (7.3 萬個(gè)) 以及開放創(chuàng)新平臺(tái)，能夠?yàn)榭蛻籼峁┤娴慕鉀Q方案。 為了進(jìn)一步鞏固其市場地位，臺(tái)積電計(jì)劃在歐洲建廠，擴(kuò)大全球布局，并維持高研發(fā)投入，僅 2024 年的研發(fā)預(yù)算就超過 13 億美元。

與臺(tái)積電相比，三星在代工業(yè)務(wù)方面面臨諸多挑戰(zhàn)。 雖然三星在 3 納米 GAA 工藝上有所創(chuàng)新，但良率僅為 20%，導(dǎo)致谷歌等大客戶回流臺(tái)積電。 此外，三星的 IP 數(shù)量遠(yuǎn)少于臺(tái)積電，客戶生態(tài)薄弱。 盡管三星自 2017 年獨(dú)立代工業(yè)務(wù)后持續(xù)投入，但與臺(tái)積電的市場份額差距反而不斷擴(kuò)大。 為了追趕臺(tái)積電，三星計(jì)劃在 2030 年前投資 1160 億美元發(fā)展代工業(yè)務(wù)。

英特爾的代工業(yè)務(wù) (IFS) 同樣面臨諸多挑戰(zhàn)。 首先，其 18A 制程（1.8 納米）原計(jì)劃 2024 年下半年量產(chǎn)，但試產(chǎn)結(jié)果顯示其尚未達(dá)到大規(guī)模生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。 其次，英特爾面臨資金困境，可能縮減或出售代工業(yè)務(wù)。 第三，英特爾的客戶吸引力不足，主要客戶為思科、AWS 等，缺乏高端訂單。 其初期代工訂單集中在 22 納米低端工藝，對臺(tái)積電威脅有限。

盡管面臨諸多挑戰(zhàn)，三星與英特爾也在積極尋求合作，試圖通過技術(shù)互補(bǔ)來提升競爭力。 三星的 3 納米 GAA 制程與英特爾的 Foveros 先進(jìn)封裝、PowerVia 電源技術(shù)結(jié)合，可能提升芯片性能和能效。 此外，雙方在美、韓、歐的制造設(shè)施共享也有助于應(yīng)對地緣政治風(fēng)險(xiǎn)。 然而，雙方的合作也面臨諸多障礙，例如技術(shù)落地難題（三星良率、英特爾工藝延遲），以及知識(shí)產(chǎn)權(quán)分配、利益協(xié)調(diào)等問題。 更重要的是，臺(tái)積電已經(jīng)構(gòu)建了完整的生態(tài)系統(tǒng)，短期內(nèi)難以被替代。

臺(tái)積電憑借技術(shù)領(lǐng)先性、市場份額和生態(tài)系統(tǒng)優(yōu)勢，仍將主導(dǎo)全球代工市場。 然而，三星與英特爾也在積極追趕，如果雙方能夠?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破并整合資源，或可在 2 納米時(shí)代縮小差距。 然而，這需要至少 3-5 年的時(shí)間，并且需要克服技術(shù)、資金和客戶信任等核心障礙。 因此，英特爾與三星的合作短期內(nèi)難以動(dòng)搖臺(tái)積電的代工霸主地位，但長期來看可能通過技術(shù)互補(bǔ)和資源共享形成一定競爭力。