- 手機:181-4585-5552
- 電話:0755-82965240
- Q Q:277187808
- 郵箱:alan.liu@szhtt-china.cn
- 地址:深圳市龍華區(qū)民治街道民治社區(qū)金華大廈1504
INN700TJ190B
發(fā)布時間:2025-04-27 16:38:42 點擊量:



型號: INN700TJ190B
INN700TJ190B 是一款先進的 700V 增強型氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率晶體管,采用 TO-220F 全塑封封裝。這種封裝的關鍵優(yōu)勢在于其固有的電氣絕緣特性,允許器件直接安裝到散熱器上而無需額外的絕緣墊片,簡化了裝配流程并有助于提升系統的整體可靠性,特別適合對安全隔離有要求的應用。
作為常閉型(增強型)開關,它提供了安全、易于控制的操作。該器件利用 GaN 技術實現了極高的開關頻率和零反向恢復電荷 (Qrr=0),顯著降低開關損耗,尤其在 DCM/BCM PFC 以及 AHB、LLC、QR 反激和 ACF 等軟開關或準諧振 DC-DC 拓撲中表現出色。其低柵極和輸出電荷進一步提升了效率和開關速度。
INN700TJ190B 符合 JEDEC 工業(yè)標準,內置 ESD 保護,并滿足 RoHS、無鉛及 REACH 環(huán)保要求。它是 LED 驅動器、快充、筆記本/一體機適配器、PC 電源、電視電源及電動工具電源等需要高效率、高可靠性和便捷熱管理的理想功率開關選擇。
INN700TJ190B_Datasheet_Rev. 1.1.pdf
推薦產品 MORE+
推薦新聞 MORE+
- 深圳合通泰電子有限公司2025年端午放假通知2025-05-28
- 2025英諾賽科代理商大會:新技術發(fā)布+政策解讀2025-05-21
- 意法半導體微控制器 提升智能家居能效的關鍵2025-05-20
- INN650TA04在高溫高濕環(huán)境下的失效模式2025-05-19
- 臺積電的3納米制程與5納米制程相比有哪些性能提升?2025-05-15
- 成本分析:200W PD快充方案BOM清單(含代理價格)2025-05-14